与人-硬件

如何辨别电源？

15823828@qq.com(与人-硬件) — Thu, 29 Oct 2009 12:40:31 GMT

如何辨别电源？从整体到部分，图文并貌，详细易懂。
饭菜可口与否可以尝出来，衣裳漂亮与否可以看出来，电脑快慢与否可以用出来……那电源好坏与否该如何判断？

嗯，有人说，我家电源用了三年了，啥事没有！仅此一点就断为好电源似乎论据不足，小猫也得要两三只嘛。

但是我们普通用户，没有专业知识，更没有仪器测试，那有什么搞头？
看广告？看疗效？

我们今天将讨论范围限定在PC电源，而且是我们买得到也买得起的绝大部分。

从这张对比图开始吧：

假设两机输出功率相等，并且从商家那里得到价钱也相同，那你要哪款？

好，在此我们引出讨论的第一点——整体。电源整体怎样，比如U是K7 OR K8？电源自然也有个整体结构，专业术语叫：拓扑。

拓扑之间本无高低贵贱，但在我们今天讨论的范围内却可分辨出电源性能。

此话当真？？

莫急莫急，继续看下去嘛，尤其注意看图。

我们范围内的电源拓扑基本分为两种：一、半桥；二、正激。

插一句，正激有单管（一个MOS）双管（二个MOS串联）之分，单管多在300W以下且少有主动PFC，两者区别小，网上众多的台达工包即为单管

PFC？有人问这个问题了，PFC是一个独立的电路，我们先放一边。

半桥VS正激，孰为优谁为劣？？

既然比较，得先确定比较什么？电源参数众多，我们就选和我密切相关也是电源中最重要的说吧。

输出功率：半桥至多500W的样子，当然如果加了PFC把电压升高也能到600W。
正激有1200W的产品。
似乎正激占上风？但是我们平常大多用的也就300不到，所以多了也没什么用，算平手。

转换效率：半桥多在70%多一点的样子，当然，如果你使用同步整流的话据说能上80%？
正激基本上能靠近80%，好点的都能到80+甚至80++，没用同步整流啊。
这个正激优势很明显，为什么？半桥均采用三极管做主开关管，正激用MOS管，三极管导通损耗，开关损耗均远大于MOS，且三极管做主开关管频率多为50K，MOS可以很轻松做100K。且在整个开关电源范围内，仍然使用三极管的只占一个零头，因为两者成本差距只有1美圆，却可以得到效率的巨大提升，实在不需要考虑了。

再插一句，这里如果半桥其他元件都用很好的而正激用很烂的
纹波加杂讯，动态：半桥只有单一一个电压反馈环，而正激除了有电压反馈外还有一个电流反馈，可以在每个开关周期逐周期控制电流大小，从而得到比半桥优秀得多的纹波加杂讯和动态。也就是说输出电压更稳定，电流更纯净。

好了，到这里答案很明显了，正激比半桥好。

可能有人会说，某某某电源是正激的，但是比不上半桥的某某，如何如何……
不要拿劣质或者未调试好的产品来说事嘛。

那如何分辨？

重要一点，半桥的看上去有三个在同一直线上的变压器，一个大的（主变），两个差不多体积小的（一个为三极管驱动变压器，基本在中间，一个为辅助电源变压器），据此99.9%可以判断为半桥，另半桥独有的其他元件还有隔直电容（靠近主变压器），加速电容两个（紧靠驱动变压器），主滤波电容为两个200V串联（正激非主动PFC也有用两个200V串联，这样可以用一开关切换输入电压为110V/220V，但主动PFC均是400V/450V电容，一个或者两个并联），就算采用主动PFC也是这样，还有半桥只有一个光偶。

正激，一大一小两变压器（大主变小辅助变压器），无加速电容、隔直电容等。
双管正激也有一个MOS驱动变压器，但是体积很小，花生米大小，且和主变、辅助变压器位置不在同一直线上，如图。

说下部分吧，就是看元件，电容大家会了，说说磁性元件吧，这个对效率有很大影响。
EMI部分，有装好的怎么看优劣？有方型的也有环型，环型的好些，其实区别也不大，基本上中小功率用方型大功率用环型。

此外主动PFC有储能电感，输出端也有储能电感，都是环型的怎么比？看颜色。

黄、浅绿、黑（蓝）一个比一个好，还有一种灰色的，那个就更好了。这个好坏就是比损耗大小，越小的当然就越好了。

半桥要的就是低成本，所以输出储能电感基本都是最廉价的黄色磁环，正激稍微好点(就是功率大的）的都是浅绿色，高档的用黑色。

PFC磁环因为储能大，所以需要优质磁环，基本是黑（蓝），当然也有用绿色的，那样需要加大体积或者两个串联。

还有就是输出线材，过安规产品线材也必须是安规认证，上面有小排字，其中有如18AWG，90℃。18AWG是线号，数字越小越粗，PC用的大功率是18号，小功率则多是20号。90℃是外皮塑料承受温度，因为电流流过线会发热。

再讲下PFC。

半桥、正激都可以采用被动或者主动PFC。被动不多说了，主动的话半桥多是加块小板而不多改动原来板子，正激因为有PFC和主电路控制集成芯片，电路也基本上是一体设计。而且正激高端，250W以上就基本采用双管加主动PFC了，尤其是近来的产品更是如此。

最后贴些图片并附加说明，多看就熟悉了。

以上为半桥，下面为正激

主板MOSFET封装形式和技术解析(玩家堂）

15823828@qq.com(与人-硬件) — Sat, 17 Oct 2009 13:01:53 GMT

前言
接下来一起来了解下现代主板MOSFET的封装形式和技术。

主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。这是因为随着MOSFET技术的进展，大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET以及多芯片DrMOS开始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用户的眼球。本文将对主板采用的MOSFET器件的封装规格和封装技术作简要介绍。
MOSFET芯片制作完成后，需要封装才可以使用。所谓封装就是给MOSFET芯片加一个外壳，这个外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。
芯片的材料、工艺是MOSFET性能品质的决定性因素，MOSFET厂商自然注重芯片内核结构、密度以及工艺的改进，以提高MOSFET的性能。这些技术改进将付出很高的成本。MOSFET的封装形式

封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。所以芯片的封装技术是非常重要的。
以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。

典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等等。
电脑主板一般不采用直插式封装的MOSFET，本文不讨论直插式封装的MOSFET。
一般来说，“芯片封装”有2层含义，一个是封装外形规格，一个是封装技术。对于封装外形规格来说，国际上有芯片封装标准，规定了统一的封装形状和尺寸。封装技术是芯片厂商采用的封装材料和技术工艺，各芯片厂商都有各自的技术，并为自己的技术注册商标名称，所以有些封装技术的商标名称不同，但其技术形式基本相同。我们先从标准的封装外形规格说起。标准封装规格
TO封装

TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。
TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。

D-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热。所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。SOT封装

SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。常见的规格如上。

主板上常用四端引脚的SOT-89 MOSFET。

SOP封装

SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。

SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。
这些派生的几种封装规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。QFN-56封装

QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面贴装型封装之一，中文叫做四边无引线扁平封装，是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。这种封装也称为LCC、PCLC、P－LCC等。QFN本来用于集成电路的封装，MOSFET不会采用的。Intel提出的整合驱动与MOSFET的DrMOS采用QFN-56封装，56是指在芯片背面有56个连接Pin。最新封装形式
由于CPU的低电压、大电流的发展趋势，对MOSFET提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。MOSFET厂商除了改进芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。
下面分别介绍主要MOSFET厂商最新的封装形式。
瑞萨（RENESAS）的WPAK、LFPAK和LFPAK-I 封装

WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET，减小布线电感。

LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。LFPAK类似D-PAK比D-PAK体积小。LFPAK-i是将散热板向上，通过散热片散热。

威世Power-PAK和Polar-PAK封装

Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。Polar PAK是双面散热的小形封装安森美的SO-8和WDFN8扁平引脚封装

安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引脚被很多主板采用。菲利普（Philps）的LFPAK和QLPAK封装

首先开发SO-8的菲利普也有改进SO-8的新封装技术，就是LFPAK和QLPAK。意法（ST）半导体的PowerSO-8封装

法意半导体的SO-8改进技术叫做Power SO-8。飞兆（Fairchild）半导体的Power 56封装

飞兆半导体的SO-8改进技术叫做Power 56。国际整流器（IR）的Direct FET封装

Direct FET封装属于反装型的，漏极（D）的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。内部封装技术
前面介绍的最新封装形式都是MOSFET的外部封装。这些最新封装还包括内部封装技术的改进，尽管这些新封装技术的商标名称多种多样，其内部封装技术改进主要有三方面：一是改进封装内部的互连技术，二是增加漏极散热板，三是改变散热的热传导方向。
封装内部的互连技术:

早期的标准封装，包括TO，D-PAK、SOT、SOP，多采用焊线式的内部互连，在CPU核心电压较高，电流较小时期，这种封装可以满足需求。当CPU供电进展到低电压、大电流时代，焊线式封装就难以满足了。以标准焊线式SO-8为例，作为小功率MOSFET封装，发热量很小，对芯片的散热设计没有特别要求。主板的局部小功率供电（风扇调速）多采用这种SO-8的MOSFET。但用于现代的CPU供电就不能胜任了。这是由于焊线式SO-8的性能受到封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳的热阻等四个因素的限制。
封装电阻
MOSFET在导通时存在电阻（RDS(on)），这个电阻包括芯片内PN结电阻和焊线电阻，其中焊线电阻占50%。RDS(on)是影响MOSFET性能的重要因素。
封装电感
内部焊线的引线框封装的栅极、源极和漏极连接处会引入寄生电感。源极电感在电路中将会以共源电感形式出现，对MOSFET的开关速度有着重大影响。
芯片PN结到PCB的热阻
芯片的漏极粘合在引线框上,引线框被塑封壳包围，塑料是热的不良导体。漏极的热传导路径是芯片→引线框→引脚→PCB，这么长的路径必然是高热阻。至于源极的热传导还要经过焊线到PCB，热阻更高。

芯片PN结到外壳(封装顶部)的热阻由于标准的SO-8采用塑料包封,芯片到封装顶部的传热路径很差。

上述四种限制对其电学和热学性能有着极大的影响。随着电流密度要求的提高,MOSFET厂商采用SO-8的尺寸规格，同时对焊线互连形式进行改进，用金属带、或金属夹板代替焊线，降低封装电阻、电感和热阻。

国际整流器（IR）称之为Copper Strap技术，威世（Vishay）称之为Power Connect 技术，还有称之为Wireless Package。

据国际半导体报道，用铜带取代焊线后，热阻降低了10-20%，源极至封装的电阻降低了61%。特别一提的是用铜带替换14根2-mil金线，芯片源极电阻从1.1 m降到 0.11 m。漏极散热板
标准SO-8封装采用塑料把芯片全部包围，低热阻的热传导通路只是芯片到PCB的引脚。底部紧贴PCB的是塑料外壳。塑料是热的不良导体，影响漏极的散热。封装的散热改进自然是除去引线框下方的塑封混合物，让引线框金属结构直接（或者加一层金属板）与PCB接触,并焊接到PCB焊盘上。它提供了大得多的接触面积,把热量从芯片上导走。这种结构还有一个附带的好处,即可以制成更薄的器件,因为塑封材料的消除降低了其厚度。

威世的Power-PAK，法意半导体的Power SO-8，安美森半导体的SO-8 Flat Lead，瑞萨的WPAK、LFPAK，飞兆半导体的Power 56和Bottomless Package都采用这种散热技术。改变散热的热传导方向
Power-PAK封装显著减小了芯片到PCB的热阻，实现芯片到PCB的高效率传热。不过，当电流的需求继续增大时，PCB也将出现热饱和，因此散热技术的进一步改进是改变散热方向，让芯片的热量传导到散热器而不是PCB。

瑞萨的LFPAK-I 封装，国际整流器的Direct FET封装就是这种散热技术。整合驱动IC的DrMOS
传统的主板供电电路采用分立式的DC/DC降压开关电源，分立式方案无法满足对更高功率密度的要求，也不能解决较高开关频率下的寄生参数影响问题。随着封装、硅技术和集成技术的进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块（MCM）已经成为现实。。与分立式方案相比，多芯片模块可以节省相当可观的空间并提高功率密度，通过对驱动器和MOSFET的优化提高电能转换效率以及优质的DC电流。这就是称之为DrMOS的新一代供电器件。

DrMOS的主要特点是：
- 采用QFN56无脚封装，热阻抗很低。
- 采用内部引线键合以及铜夹带设计，尽量减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。
- 采用先进的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，显著降低传导、开关和栅极电荷损耗。
- 兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持APS（Auto Phase Switching）。
- 针对目标应用进行设计的高度优化。
MOSFET发展趋势
伴随计算机技术发展对MOSFET的要求，MOSFET封装技术的发展趋势是性能方面高输出、高密度、高频率、高效率，体积方面是更趋向小形化。

上图是瑞萨提供的低压MOSFET封装发展趋势图。

河北省石家庄(获鹿话)ＣＥＴ四级考试真题

15823828@qq.com(与人-硬件) — Tue, 13 Oct 2009 03:32:58 GMT

河北省石家庄(获鹿话)ＣＥＴ四级考试真题
一，选择题
1，男：扯蓝办？
女：喊么里！
请从以上对话中判断他们在讨论什么问题。
A：天气 B：吃饭 C：心情 D：时间
2，男：汗下蓝办？
女：和星了点儿！
根据以上对话可以知道现在的天气是？
A：晴天 B：下雨 C：下雪 D：阴天
3，你介么儿蓝？
这是用来询问对方的？（县南选答，县北必答）
A：年龄 B：住址 C：姓名 D：爱好
4，男：啥时候来里按？
女：夜列个！
女方是什么时候来的？
A：前天 B：昨天 C：今天 D：她自己也记不清了！
5，喃可干月里！
这句话表明主人公
A：心情很好 B：心情不好 C：身体不舒服 D：饿了
二，名词解释
1，牛儿牛儿 2，后噶儿 3，能带 4，提或 5，闹么街 6，或拢 7，夹里（县北选答，县
南必答）
三，翻译
1，街个早好么去地里干尖儿按？
2，特待见扯个逗不待见哈米汤！
3，甲：你杂喊不起削吸蓝？
乙：喃可不得劲儿里！
四，阅读理解（阅读下面对话并回答相应的问题）
甲：介个可背兴里！
乙：早好蓝？
甲：表提蓝！早起也起来先么先嗲蓝个跟头！
乙：爱矮！你算起蓝！摔找蓝办？
甲：呢个到是么有，这百儿！能蓝也身泥！能蓝个个板儿过拉蓝半天！
乙：要街个喊能起赶集蓝办？
甲：么事儿！能起！
乙：咱们早好起按？
甲：要不老咱们叫个蹦蹦！詹办？
乙：可得里！正好街个有点始里慌！
1，甲和乙是什么关系？
A：亲戚 B：邻居 C：不确定 D：夫妻
2，甲和乙今天有什么打算怎么去赶集？
A：走着去 B：骑自行车去 C：坐三轮摩托去 D：打的去
3，乙最后同意了甲的提议吗？
A：同意了 B：没同意
4，甲用的什么工具清楚身上的泥？
A：刷子 B：硬纸板 C：毛巾

英特尔新款酷睿i7与i5处理器技术简介

15823828@qq.com(与人-硬件) — Sat, 19 Sep 2009 04:43:07 GMT

【背景简介】
作为芯片创新领域的领先厂商，英特尔公司一直致力于为用户提供创新的科技产品、技术以及解决方案。在令产品性能不断提升的同时，处理器的功耗和价格也逐年下降，2009年9月8日，英特尔在全球正式发布了代号为Lynnfield的三款更贴近主流价位的高端台式机处理器：酷睿i7 870，i7 860与酷睿i5 750，以满足主流消费市场对高性能计算日益增长的需求。该系列产品是基于Nelalem架构的第二个系列，无论处理视频，图片，音乐，亦或是网络应用，日常办公，都能让用户得到完美的台式机体验。
【Lynnfield处理器技术简介】
Lynnfield版i7-870和i7-860处理器继续完美支持英特尔Nehalem架构的超线程技术，即每个核心可执行两个线程工作，四个物理核心的CPU可同时多达八个线程进行并行计算。如下图所示：
支持超线程的英特尔酷睿i7处理器，可以使每次处理应用程序的线程数量翻倍，从而大大提高软件执行效率。
2，支持虚拟化设备输入/输出。在之前以虚拟化CPU为主的基础上增加设备输入/输出的虚拟化，能有效提高虚拟机的性能和效率，为Windows 7时代企业虚拟化应用的提升做好了充分准备。
英特尔睿频加速技术（Intel Turbo Boost Technology）。该技术可使处理器内部的某几个特定的核心，在特定的环境下超过额定频率来工作。既运行中进行自动动态加速。同时也可以根据需要开启、关闭以及加速单个内核的运行。例如，当一个四核心的酷睿i5-750处理器在工作时，用户运行的任意单线程应用程序仅需1或2个内核，那么其余的内核会被关闭，并同时自动加速正在工作中的内核，以确保性能和节电同时达到最佳。如下图所示：

4，更低的能源消耗。英特尔公司始终提倡节约能源，并一直致力于能源的有效利用，合理开发。新发布的三款Lynnfield酷睿处理器，均使热设计功耗（TDP）降低至95w(瓦)，并且全部支持英特尔“智能节能技术”（Intel Intelligent Power Technology），使用者可以选择在主板BIOS中是否开启这一功能，亦或是由处理器自动进行节能，处理器支持的最高C6模式可使用户或企业每年节约大量电费支出。经过实测，本次发布产品中的最高端型号酷睿i7-870满载功耗最大值约为82瓦，桌面状态则可低至10瓦左右状态。
【特色内核技术】
1，高速缓存设计：Lynnfield仍然采用高性能的三级全内含式高速缓存设计，一级高速缓存和之前发布的代号为bloomfield的酷睿i7-900系列采用同样的经典设计，二级高速缓存采用超低延迟设计，每个内核单独拥有256KB，三级高速缓存则采用共享式设计，总容量8MB，处理器上任意核心均可共享，以确保多核心运算的效率最大化。
2，内部集成双通道内存控制器。和之前发布的酷睿i7-900系列一样，Lynnfield表现依然优秀。采用处理器内部集成内存控制器的方式，无需通过北桥芯片组来访问内存数据，使得延迟大幅降低，并明显提高内存带宽。
【三款最新Lynnfield产品技术规格和简介】
——酷睿i7-870，默认频率2.93GHz，单核加速到的最高频率为3.6GHz，四核心设计，支持超线程技术，虚拟化技术，最多可使用八线程同时处理复杂的应用程序。采用8MB共享三级高速缓存设计，最大热设计功耗仅有95瓦，却达到了服务器级别CPU的性能，是新款酷睿产品的旗舰级型号。
——酷睿i7-860，默认频率为2.8GHz，单核加速后可达3.46GHz，其余参数同酷睿i7 870如出一辙，8MB三级高速缓存，95瓦最大热设计功耗，更低廉的价格更适合主流家庭和中小企业应用。
——酷睿i5-750，默认频率2.66GHz，单核最高加速为3.2GHz。同酷睿i7 800/900系列一样，采用45nm先进的制造工艺，四核心四线程，为大众化家庭或网吧而定制。

附表：Lynnfield三款处理器技术规格明细
【总结】
得益于以上多种技术，在相近主频和价位下，Lynnfield系列产品会有更快的速度以及更低的功耗，非常适合主流家庭用户，大中型商用企业及网吧。新型技术带来的新款酷睿i7与i5处理器，是英特尔公司将高性能计算平台推入主流应用的一个里程碑产品，并将开启处理器历史上的新篇章。

七彩虹双无线超频版P55曝光

15823828@qq.com(与人-硬件) — Wed, 16 Sep 2009 14:21:50 GMT

北京时间2009年9月8日下午15：15分，英特尔正式在北京798艺术区，北京时尚设计广场D PARK, 751工厂第一车间正式对外发布了基于Nehalem架构的LGA1156平台酷睿i7/i5系列处理器以及相关的P55主板。

< type="text/java">WriteSpan('ad_500_1')

英特尔酷睿i7/i5发布会

英特尔酷睿i7/i5发布会
台系精锐部队自然不会错过亮相的机会。而中国大陆地区同样是英特尔必争之地，在本次发布会上，国内品牌方面同样给予了足够的重视，如七彩虹就在本次发布会上亮相了此前未曝光的i5/i7平台，而且还不止一款。

英特尔酷睿i7/i5发布会亮相的七彩虹战旗C.P55 X7/5以及战旗C.X58 X9
七彩虹一共为本次发布会带来了三款产品，均属于战旗家族。其中就有两款是P55产品，型号分别为为战旗C.P55 X7及战旗C.P55 X5，后者与前者的主要区别是少了双无线模块。据官方介绍，这两款P55都还没有正式上市，但官方也同时表示，实际上市的P55主板还会对风冷超频效果作进一步优化。

战旗C.P55 X7

从图片上看，该主板采用了七彩虹战旗家族一贯黑色PCB风格，基于Intel P55芯片组，由于Lynnfield Core i5 i7整合了北桥的职能，所以主板采用单芯片设计。据七彩虹工程师介绍，单芯片设计对布线有了新的要求，在某成程度上更有利于对PCB高频信号线路进行优化设计，并且整板均采用日本nichicon LF系越低ESR固态电容。工程师表示，这有利于提升风冷超频效果，同时延长6.3倍主板使用寿命。

主板供电设计特写

主板供电部分被覆盖上了散热片，并利用热管导热，从蓝色方块为封闭式铁素体（ferrite choke）电感，从数量上基本上可以判断出该主板采用6相供电，可以支持TDP功耗达到140W的处理器，虽然Core i7/i5并没有达到这样的功耗水平，但官方表示，更多的相数有利于给CPU提供更水平的电压曲线，有利于超频。

DDR3内存插槽，左边是独立的内存供电模块
DDR3内存时代,工作电压由DDR2的1.8V进一步下降到1.5V，更低的电压带来更低的内存功耗，但同时对主板供电也是一个挑战。我们从主板的内存插槽旁可以清楚看到独立的1相供电。据不少业内工程师表示，相供电将逐步取代线性供电，有利于为内存提供纹波更小的电流，也利于内存超频。

三根PCIE x16独立显卡插槽特写

Core i5整合了北桥的职能，提供多达24条PCIE lane通道，可以支持8x+8x模式CrossfireX技术，当然多出的通道也有其它用途。战旗C.P55 X7提供3根PCIE X16显卡接口，我们暂时不清楚其是否支持nVidia SLi技术，但从最近nVidia对P55的授权情况来看，这是大势所趋。

Q-Buttons设计

“专注于风冷超频的战旗家族板上都有直接的快捷按键，支持一键清CMOS，一键开机与重启。”工程师介绍到。

IO面板接口特写

主板后面版直接提供10个USB2.0接口，这是比较少见的，另外还提供一个外围的e-SATA接口。并且配备光纤音频接口及铜轴Spdif In数字音频输入能力。

3DSP WiFi+Bluetooth双无线模块

如果笔者没记错的话，七彩虹是最早将无线模块应用于主板上的品牌之一，对于原本单调的DIY产品来说，融入无线功能确实是富有创新的尝试。从这一次发布会上的主板上看，不少品牌也开始在自己的主板上整合无线模块或接口。
由于正式产品我们还没有看到，包括超频成绩，及零售价格暂时无法提供。不过从七彩虹战旗系列融入双芯超频技术的情况上判断，这款产品或将在风冷超频这一块有所作为。关于它的更多信息，我们在后面将为大家继续送上。

HD4750性能揭秘

15823828@qq.com(与人-硬件) — Sun, 13 Sep 2009 12:28:34 GMT

A卡廉价40nm显卡上市高效HD4750
早在年初各路小道消息就传出9月将会是显卡新品发布的井喷期，AMD和NVIDIA都会拿出下一代显卡产品展示给全球用户。还有消息称AMD将会在美国一艘退役航母上发布相关产品，不过一切仅限纸面消息和各路小道传闻。
时至今日（9月10日），9月上旬已过无论是AMD的RV870/RV840，还是NVIDIA的GT300产品仍然盖着神秘的面纱，虽然小道消息的传闻越来越多、越来越丰富，价格、规格、性能等一一揭秘，但俗话说“眼见为实，耳听为虚”，AMD和NVIDIA究竟何时会正式发布下一代产品，是何故导致发布日期一拖再拖，至今仍然是个迷！
不过据笔者分析，图形处理核心的代工厂的生产良品率是罪魁祸首，我们知道早在今年4月发布的Radeon HD 4770，它的图形处理核心就是采用当前最为前沿的40nm工艺，无奈台积电生产工艺不成熟导致良率过低，出现了有需求、有价、有市却无货的尴尬局面，甚至在中国大陆地区没有零售产品。
反观NVIDIA也同样遇到了类似问题，由于下一代GT300核心将会提供超过14亿（GT200为14亿晶体管）晶体管的单芯片图形核心，如果不使用40nm工艺，无疑会带来高成本、高功耗、高温度的“三高”产品，所以使用40nm势在必行，但是由于台积电方面在良率和生产线提供商均无法满足NVIDIA需求，GT300据传要2010年年初才能正式上市。不过为了不被对手在制程上领先过久，NVIDIA在近期推出了采用40nm工艺的GeForce GT220低端产品，但NVIDIA方面并没有正式发布该款产品。

全球第二款正式发布的40nm图形处理器核心显卡——Radeon HD 4750 通过型号不难看出，Radeon HD 4750隶属于Radeon HD 4700系列，是全球缺货的Radeon HD 4770同门师兄弟。那么二者在产品规格及性能上有何区别呢？
根据以往AMD在中低端产品设计的习惯，同一系列产品仅通过频率及显存规格（特指标配的GDDR3、GDDR4、GDDR5）来划分，例如Radeon 2600 XT与Radeon HD 2600 Pro、Radeon HD 4670与Radeon HD 4650等。不过此次Radeon HD 4770和Radeon HD 4750在产品核心/显存频率上、在显存规格搭配上均完全一致，唯一不同的是Radeon HD 4770核心拥有640个流处理器，而Radeon HD 4750核心仅拥有480个流处理器。
主流 600 - 800 元级显卡规格比较表显卡型号GeForce 9600 GTRadeon HD 4830 Radeon HD 4750GeForce 9800 GTRadeon HD 4770Radeon HD 4850市场定价599 元599 元699 元699-799 元749 元799 元GPU代号G94RV770 LERV740G92 - 270RV740RV770GPU工艺55 nm55 nm40 nm55 nm40 nm55 nmGPU晶体管5.05 亿9.56 亿8.26亿7.54 亿8.26亿9.56 亿着色器数量64640480112640800着色器组织1D *641D*5 *1281D*5 *961D *1121D*5 *1281D*5 *160ROPs数量161616161616核心频率650 MHz575 MHz750 MHz600 MHz750 MHz625 MHz着色器频率1625 MHz575 MHz750 MHz1500 MHz750 MHz625 MHz理论计算能力317 GFLOPs736 GFLOPs720 GFLOPs504 GFLOPs960 GFLOPs1000 GFLOPs等效内存频率900 MHz *2 900 MHz *2800 MHz *4900 MHz *2800 MHz *41000 MHz *2内存位宽256 bit256 bit128 bit256 bit128 bit256 bit内存带宽57.6 GB/s57.6 GB/s51.2 GB/s57.6 GB/s51.2 GB/s64 GB/s内存类型GDDR3GDDR3GDDR5GDDR3GDDR5GDDR3内存容量512 MB512 MB512MB512MB512MB512MBDX版本支持1010.110.11010.110.1HD视频技术PureVideo HDUVD2UVD2PureVideo HDUVD2UVD2通用计算接口CUDAStreamStreamCUDAStreamStream
Radeon HD 4750的出现其实并非偶然，回首显卡发展历史无论AMD还是NVIDIA都会为增加芯片良品利用率，而选择将无法满足全规格正常运行的图形处理芯片通过屏蔽规格来降低一档产品定位销售。前文提及40nm的RV740（用于Radeon HD 4770的核心）良率不高，为了降低生产正本RV740的低规格版应运而生，即拥有480流处理器的Radeon HD 4750。
从上面汇总的当前主流产品规格表可以看出，这款产品在核心/显存频率、显存位宽/规格上均与Radeon HD 47750保持一致，仅有的区别就是流处理器数量，但是其继承了低成本、低功耗、低发热量的优良传统。

老朋友新面孔全球第二款40nm显卡
Radeon HD 4750与Radeon HD 4770一样都是基于40nm工艺制程的RV740核心，该款核心拥有多项傲人成绩，例如其协助AMD率先进入40nm制程，成为CPU/GPU高复杂度芯片（宽泛而言的桌面级处理器）领域首个40nm工艺制造的型号，优于目前主流的45nm CPU制程和55nm GPU制程，这也是GPU在制造工艺上首度超越CPU抢先上市。
其次，在提高频率、性能等规格的前提下核心面积进一步缩小，RV740成为了目前低温、低功耗、低成本的代名词。

RV740核心特写虽然很多网友已经对RV740核心已经有了全面了解，正所谓“温故而知新”，还是让我们回顾一下它的大致情况。
　　RV740仍旧由台积电制造，晶体管数目8.26亿、核心表面积137平方毫米，大小与RV730相仿，和RV770的9.56亿/260平方毫米相比，单位体积的晶体管数大大提升，这正是制造工艺提升后的外部表象。在Radeon HD 4750的750MHz高频率设定下，RV740只需中型铝制散热器即可正常工作，搭配8枚800MHz频率GDDR5内存芯片后整卡设计功耗约80W。
　　● RV740 GPU的架构和功能

RV740计算架构示意图　　AMD提供的资料显示RV740的计算架构是RV770的简单精简：着色器配置从[（1D*5）*16]*10直接缩减到[（1D*5）*16]*8，对应的纹理单元也缩减20%至32个。与此同时，渲染后端（ROPs）在内存控制器位宽砍半的前提下却被难以置信的完全保留为4组16个。RV740的128bit内存控制器显然也可以支持其它类型的本地内存，容量方面支持1GB以上也不成问题。

Radeon HD 4770 GPU-Z软件识别情况　　RV740继续内置了符合HD Audio规格的音频逻辑，可以直接输出完整的HDMI信号，其数字音频流支持AC3规范的Dolby Digital和DTS编码格式，支持32kHz、44.1kHz、48kHz的16bit音频流，拿到了Windows Vista Premium Logo。除了DualLink的DVI，HDMI和传统的模拟输出外，RV740也支持原生的DisplayPort接口输出。
　　RV740在功能方面的优势是HD 4000系列独有的DirectX 10.1支持和目前最强高清回放技术UVD2，现在已经推出的支持DirectX 10.1的游戏已经超过6个。另一方面在通用计算的Stream和物理加速的Havok上，AMD则仅限于应对NVIDIA强势的CUDA/PhysX一种显示存在，就软件生态环境的成熟度而言落后较远。

Radeon HD 4750 GPU-Z软件识别情况虽然同为基于RV740核心，但是目前最新版本的GPU-Z 0.3.4还是无法正确识别Radeon HD 4750全部信息，仅在显存位宽和显存类别上识别正确，不过这一点肯定会在下一版软件中得以更新。

CCC控制面板中对Radeon HD 4750识别情况目前最新版本的Catalyst 9.8版驱动能够正确识别并能安装，通过产品识别信息我们能够了解到送测样品频率为750MHz/3200MHz，采用8颗16M*32bit GDDR5显存颗粒构成128bit/512MB组合。

RV740宽约为11.54mm
RV740长约为12.47mm RV740核心设计与其他AMD主流图形处理器核心不同，其采用了长方形设计，长宽约为11.55mm * 12.47mm，测量数据与官方公布的137mm2基本相符。
　　● 低端显卡用上GDDR5
　　目前为止独有AMD的Radeon系列显卡上应用着GDDR5高速内存，但其主要使用在Radeon HD 4870/HD4890/HD4870 X2这样的高端产品上装备。
　　不过Radeon HD 4770的出现打破了这一陈规，而随后而来的Radeon HD 4750顺利成长的也使用了GDDR5显存颗粒。

Qimonda GDDR5 内存芯片　　目前我们收到的样品Radeon HD 4750上使用了Qimonda IDGV51-05A1F1C-40X GDDR5内存芯片。和GDDR3相比，GDDR5内存芯片内的预读取I/O翻番，以同样的内核频率前提下实现加倍的外部频率，当然同时也付出延迟更高的代价，但在庞大带宽支持下获得性能提升仍然是十分明显。GDDR5的默认工作电压为1.5V，已进入55nm工艺，但整体功率仍较GDDR3稍高。AMD方面宣称GDDR5可以使显卡系统更为稳定，虽然GDDR5引入了一些延迟自动调整、数据错误自动检测的细微增强技术，但在应用层面的表现并不明显。
　　虽然GDDR5芯片配置和早先的Radeon HD 4870相同，但HD 4770 BIOS设定的内存频率为3200MHz（QDR）而不是3600MHz，较为保守。

● 用户端—HD4750这个可以有！
我们知道微软的下一代操作系统Windows 7将于10月22日正式全球发布，而这款系统对于图形方面最大的升级就是集成了DirectX 11全新API，与此同时对应其设计的显卡RV8XX和GT300产品也会应运而生，那么此时购买一款DirectX 10.1的新品是否值得呢？
其实用户大颗放心，虽然Windows 7即将到来，虽然RV8XX和GT300马上发布，但是在DirectX 11上的应用程序尤其是游戏方面的数量是并不会太多，绝大多数游戏为了普及及推广仍然会使用DirectX 10 API甚至DirectX 9 API。即使有针对DirectX 11设计的游戏，也会提供DirectX 10的版本。
而且值得一提的是，DirectX 11和DirectX 10与DirectX 10和DirectX 9之间的关系并不一样，DirectX 10相对DirectX 9有了架构上的革新，所以DirectX 10的应用无法在DirectX 9硬件上完成。而DirectX 11相对于DirectX 10是一个超集，它是DirectX 10的一个功能扩展版本升级，很多DirectX 11的功能依然可以由DirectX 10硬件完成，虽然在硬件资源消耗上要远大于支持DirectX 11的硬件。

785G资料和790G对比

15823828@qq.com(与人-硬件) — Sun, 06 Sep 2009 02:38:17 GMT

[1.导读：需求制胜整合为王]
提起整合平台，每家媒体在评测的时候似乎都要提及以往整合主板的“鸡肋形象”，购买者大都是办公或者学生用户，只有不注重性能的用户才会考虑整合平台。的确，即使是现在的整合平台在性能上依然不能让人很满意，但是市面上卖的比较火热的产品正是这些整合主板，性能上的差距并没有成为绊脚石，这也证明了一个永恒的道理：不管是高端还是低端，顺应消费者需求的才是好产品，而整合平台的壮大之路便是这个道理的具体诠释。
在推动整合平台深入人心的过程中，AMD公司应该牢记一笔。自从收购ATI而获得ATI公司的GPU和芯片组技术后，推出的690G芯片组打响了整合平台第一枪，去年初问世的780G更是为AMD立下汗马功劳，改变了集成显卡鸡肋的宿命，让人们看到了整合平台在高清视频、游戏娱乐上面同样可以有所作为，780G的升级型号790GX也是再接再砺，至今仍是AMD整合平台的一哥。随着上半年AM3平台的顺利推进，AMD也急需新一代整合平台接替规格落后的780G芯片组，为AM3处理器再造新座驾。
上月初AMD便发布了代号RS880的新一代整合芯片组―785G，定位于780G和790GX之间，在技术规格上有多项提升，最新的DX10.1和完善的UVD 2.0解码技术增强了785G的游戏和高清播放能力，成熟的55nm工艺也使得785G的功耗与发热保持在较低水平，再加上AM3接口处理器的节能技术，新一代的785G主板有望成为性价比最高的HTPC平台之一。

785G能否成为新的整合之王？
我们先简要介绍一下785G芯片组的规格。
[2.785G主板解析]
785G研发代号RS880，相比之下780G的研发代号为RS780，790GX为RS780D，虽然在研发代号上高于790GX，但是最终的命名和定位却在790GX之下。785G内部整合的显示芯片为HD 4200，支持DX10.1规格，相当于HD3450级别，而790GX整合的显示芯片为HD 3300，支持DX10.0，相当于HD2400级别。除了规格上上有所提升，这两款GPU都是40个流处理器单元，只是为了保持性能差距，HD4200的核心频率仅有500MHz，低于HD 3300的700MHz，为了拉开档次，双卡交火功能也被屏蔽，仅支持与HD3450/3470独显混合交火。

785G与790GX对比北桥最主要的改进则是HD 4200的解码引擎由780G的UVD 1.0升级到UVD2.0，除了可提供100%硬件VC-1、H.264及MPEG-2硬解码外，还加入了DVD插值输出至高清的DVD upscaling toHD功能，让720x480的影片提升至1920x1200，并减少影像模糊及松散，此外DynamicContrast技术（动态对比度，就像LCD显示器超高的动态对比度一样），原理与Photoshop把静态图片作光暗对比类似，此处则是对动态帧画面进行处理以优化影像的表现。

UVD2中的三大画质增强技术在播放蓝光影片时，UVD还支持双位流解码（Dual-Stream）技术，原理是把负责影像编码的ALU单元由一组提升至两组，令芯片组能同时处理两组硬件影像解码以填满16个流处理器单元，可硬件支持Picture in Picture (画中画)功能及同时播放两组高清影片。

SB710芯片组的支持规格 785G的南桥芯片为SB710，是由SB750精简掉部分规格而来，但是保留了堪称SB750精华的ACC（高级时钟校验）技术，这也是破解四核最为关键的技术，而精简掉的RAID 5对普通用户并没有什么影响。
总的来说，785G芯片组集成的显卡HD 4200在规格上，尤其是高清播放功能上有提高，但在性能上会略低，500MHz的频率还是要低于790GX上的700MHz，而且不支持独显交火，不过这些差距会有厂商破解的，785G整体上与790GX差距不大。

七彩虹显卡命名规则

15823828@qq.com(与人-硬件) — Sun, 30 Aug 2009 13:23:48 GMT

七彩虹显卡命名规则
五种产品线：CH版、CT版、CF版、CV版和CL版。
"C"为七彩虹的英文注册商标"Colorful"的缩写，代表："由七彩虹板卡专业研发团队出品，除拥有七彩虹一贯的高品质、高性能特性外，还享有七彩虹特色而贴心的"后晴服务"体系"。
而在此"C"后另一个字母是对相同芯片的不同功能和价格的划分，相应解释如下：
CH："H"是"High"--"高端"的缩写，此产品命名将会独立应用在最高端的产品，此系列代表七彩虹对技术有着狂热向往的高端用户最深刻的理解。
CT："T"是"Technology"--"技术"的缩写，此产品线将最能体现七彩虹科技专业研发团队的技术特色及研发力量，是相同产品中最耀目的技术明星。
CF："F"是"Full"--"完整"的缩写，此产品线是"完整"按照芯片开发商的公板来设计，完全符合公板所有的特性和规格，具备公板所有的功能。
CV："V"是"Value"--"价值、超值"的缩写，代表七彩虹竭力为用户提供价格优惠而性能出众(高性价比)的产品理念。
CL："L"是"Limit"--"有限度"的缩写，表明此产品线在功能上与公板"CF"版相比有所简略，是七彩虹因应市场需求而特制的一款性能价格相宜的普及版本。

七彩虹全固态128M版785G到

15823828@qq.com(与人-硬件) — Sun, 30 Aug 2009 13:12:04 GMT

785G主板目前已经大量上市，本周国内板卡大厂七彩虹首款785G主板也已经上市，这款主板采用了全固态电容设计，支持DDR3内存并且板载128MB独立显存，各方面的设计均满足了目前用户对于785G主板的需要。
七彩虹C.A785G TWIN主板具备支持DDR3/DDR2双内存规格，主板采用Micro-ATX板型设计，基于AMD 785G（RS880）芯片组设计，支持最新AM3 Phenom II X2/X3/X4及Athlon II处理器。支持双通道DDR3-1333，集成显卡为Radeon HD4200，源于RV620核心，支持DX10.1，整合UVD2硬件解码引擎。支持D-Sub/DVI/HDMI。南桥芯片主要搭配SB710，支持ACC功能，拥有三核或双核破解四核的能力。

七彩虹C.A785G TWIN主板低价上市
七彩虹C.A785G TWIN主板

CPU供电部分主板CPU供电部分采用了扎实的4相供电设计，搭配高品质全固态电容以及全封闭电感，保证了处理器供电的稳定。

内存及磁盘接口主板内存插槽部分提供了4条DIMM内存插槽，支持双通道DDR2/DDR3内存规格。磁盘接口方面提供了6个SATA2接口设计，满足主流用户的使用需要。

PCI扩展部分主板PCI扩展部分提供了1条PCI-E 16X显卡插槽，2条PCI插槽，满足大多数用户的使用需要。主板集成了Realtek ALC883 8声道音效芯片，同时板载了Realtek RTL8111DL千兆网络芯片。

I/O接口部分主板I/O接口部分提供了常见的PS/2键鼠接口以及4个USB接口，另该还提供了包括S/PDIF同轴光纤音频接口，VGA/DVI/HDMI全视频接口设计，可以满足主流用户的使用需要。

七彩虹第二代785G正式发布

15823828@qq.com(与人-硬件) — Sun, 30 Aug 2009 12:46:21 GMT

2009年6月的台北电脑展上，AMD最新785G主板的亮相多少让人眼前一亮的感觉。作为2009年的重量级整合型产品，第一代785G不仅采用了与独显ATi HD4200同架构的核心，并升级支持DirectX 10.1特效、UVD2代解码功能。但是第一代785G也遇到了一些障碍，那就是如何又快又稳的风冷超频？
因此为了更好的发挥785G主板的超频能力，第二代785G主板也已经推出，并且和大家见过面了。一个是主打“全民超频”的华硕推出的“极限设计”(Xtreme Design)系列的M4A785TD-V EVO，另外一个是专注“风冷超频”设计的七彩虹战旗C.A785G X5 D3。

第二代785G：华硕M4A785TD-V EVO
第二代785G：七彩虹C.A785G X5 D3如何区分第一代和第二代785G产品呢？
●特征之一：超5项可视化CPU供电技术（V.P.S）
我们知道第一代产品供电一般为4项，而第二代最新升级的785G要至少要为5项以上，而华硕的785G则最高达到了10项。我们知道，供电是主板稳定与超频的核心部件。
针对第二代785G方案，七彩虹C.A785G X5 D3版CPU供电部分采用RT8855 PWM脉冲宽度调制芯片，实现豪华5相供电，与第一代AMD 785G主板相比，每一相均由原来的搭配2个晶体管升级至4个晶体开关管，组成“2相2下”顶级方案，支持高达140W的AMD AM3处理器，同时温度有效控制在45度以下。另外在第二代785G主板上实现了可视化供电相位技术（V.P.S Visual Phase Status ），可以实时监控CPU供电状态是否处理一个正常水平。
●特征之二：升级整板全固态电容方案(A.S.C)
第一代产品供电为非全固态版，而第二代则全面升级为全固态版本。针对第二代785G方案，七彩虹C.A785G X5 D3版在用料上进行了升级，主板整板均采用全固态电容方案（All Solid Capacitors），板上几乎找不到一个电容空焊位。Intel实验室证明，使全固态电容的主板，平均寿命是普通主板的6.3倍。另外，据不少玩家的反馈，固态电容在高频下的耐压的特性优秀，是普通电解电容所无法比美的，风冷超频效果更好。
通过比较发现，在第二代785G上挖掘的特色卖点，大家各有不同。华硕使用了第三代强化散热技术Stack Cool 3+(增加的2盎司铜层PCB设计)、Turbo Key简易超频技术和GPU NOS技术（GPU超频技术），而七彩虹0C.A785G X5 D3版也同样整合了不少特色，都包含在其一直为风冷超频而研发的X（Xtreme）极技术中，例如:
1.(Quick.Trouble.Diagnostic)快速故障诊断.
主板板载Debug，快速故障诊断指示（第一代785G无）
2.(Q-Button)快捷按键.
主板板载开机及重启快捷按键，方便裸机用户操作（第一代785G无）
3.（Dual-language BIOS）中英双语BIOS
主板BIOS支持中英双语切换，菜鸟也能玩转BIOS（第一代785G无）
4.(Memory.Status)增加内存工作状态指示（第一代785G无）
5.(Xtreme Smart)极智能二代智能主板技术（普通主板无）

主板IO面板提供丰富的接口，包括VGA,DVI,HDMI全高清输出,IEEE1394火线接口,ESATA及光纤音频接口。而且PS2接口还支持键鼠混插。作为升级版产品，第二代785G主板当然更值得大家选购，无论是超频能力还是做工设计都有一定的提升。